Hae LUTPubista
Aineistot 1-4 / 4
GaN-transistorien kanavaresistanssi-ilmiöiden mittaus
(2018)
Galliumnitriditransistoriin (GaN) kohdistuva jänniterasitus aiheuttaa transistorin kanavaresistanssin kasvamisen, jota kutsutaan current collapse -ilmiöksi. Tätä ilmiötä tutkittiin aiheuttamalla GaN-transistoriin 400 voltin ...
Teholähteet led-valaistuksessa ja sopivan valinta kotitalouskäyttöön
(2011)
Led-valaisun kehitys on mahdollistanut sen käytön kodin yleisvalaistuksessa. Työssä tutkitaan eri led-valaisuun soveltuvia teholähteitä, joista valitaan teknisiltä ominaisuuksiltaan sopivin kodin yleiskäyttöön. Tutkittavia ...
Battery Cell Modeling for Battery Management System
(2012)
Usage of batteries as energy storage is emerging in automotive and mobile working machine applications in future. When battery systems become larger, battery management becomes an essential part of the application concerning ...
Piiri- ja jäähdytyslevyjen suunnittelu GaN-transistoreilla toteutetulle invertterille
(2017)
GaN-transistorit ovat uuden tyyppisiä tehopuolijohdekomponentteja. Ne ovat huomattavasti pienikokoisempia kuin paljon käytetyt IGBT tai MOSFET -transistorit. GaN-transistoreista on tehty käytännön sovelluksia toistaiseksi ...