Hae LUTPubista
Aineistot 1-2 / 2
GaN-transistorien kanavaresistanssi-ilmiöiden mittaus
(2018)
Galliumnitriditransistoriin (GaN) kohdistuva jänniterasitus aiheuttaa transistorin kanavaresistanssin kasvamisen, jota kutsutaan current collapse -ilmiöksi. Tätä ilmiötä tutkittiin aiheuttamalla GaN-transistoriin 400 voltin ...
Battery Cell Modeling for Battery Management System
(2012)
Usage of batteries as energy storage is emerging in automotive and mobile working machine applications in future. When battery systems become larger, battery management becomes an essential part of the application concerning ...