Hae LUTPubista
Aineistot 1-2 / 2
GaN-transistorien kanavaresistanssi-ilmiöiden mittaus
(2018)
Galliumnitriditransistoriin (GaN) kohdistuva jänniterasitus aiheuttaa transistorin kanavaresistanssin kasvamisen, jota kutsutaan current collapse -ilmiöksi. Tätä ilmiötä tutkittiin aiheuttamalla GaN-transistoriin 400 voltin ...
Piiri- ja jäähdytyslevyjen suunnittelu GaN-transistoreilla toteutetulle invertterille
(2017)
GaN-transistorit ovat uuden tyyppisiä tehopuolijohdekomponentteja. Ne ovat huomattavasti pienikokoisempia kuin paljon käytetyt IGBT tai MOSFET -transistorit. GaN-transistoreista on tehty käytännön sovelluksia toistaiseksi ...