Selaus avainsanan mukaan kokoelmassa "galliumnitride"Diplomityöt ja Pro gradu -tutkielmat

    • GaN-transistorien kanavaresistanssi-ilmiöiden mittaus 

      Aalto, Henri (2018)
      Galliumnitriditransistoriin (GaN) kohdistuva jänniterasitus aiheuttaa transistorin kanavaresistanssin kasvamisen, jota kutsutaan current collapse -ilmiöksi. Tätä ilmiötä tutkittiin aiheuttamalla GaN-transistoriin 400 voltin ...