Hyppää sisältöön
    • Suomeksi
    • På svenska
    • In English
  • Suomeksi
  • In English
  • Kirjaudu
Näytä aineisto 
  •   Etusivu
  • LUTPub
  • Kandidaatin tutkintojen opinnäytetyöt
  • Näytä aineisto
  •   Etusivu
  • LUTPub
  • Kandidaatin tutkintojen opinnäytetyöt
  • Näytä aineisto
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Piiri- ja jäähdytyslevyjen suunnittelu GaN-transistoreilla toteutetulle invertterille

Aalto, Henri (2017)

Katso/Avaa
Kandidaatintyo_H_Aalto.pdf (5.868Mb)
Lataukset: 


Kandidaatintyö

Aalto, Henri
2017

Näytä kaikki kuvailutiedot
Julkaisun pysyvä osoite on
https://urn.fi/URN:NBN:fi-fe201708118082

Tiivistelmä

GaN-transistorit ovat uuden tyyppisiä tehopuolijohdekomponentteja. Ne ovat huomattavasti pienikokoisempia kuin paljon käytetyt IGBT tai MOSFET -transistorit. GaN-transistoreista on tehty käytännön sovelluksia toistaiseksi vähän, joten niiden tutkimustyöhön tarvitaan teholähde, jolla pystytään testaamaan ja mittaamaan transistorien ominaisuuksia käytännössä.
Tässä kandidaatintyössä käsitellään teholähteen piirilevyn ja GaN-transistorien jäähdytyslevyn suunnittelua. Piirilevysuunnittelussa tutkitaan toteutetun piirilevyn haasteita ja ongelmia häiriönsuojauksessa ja komponenttisijoittelussa. Työssä käsitellään jäähdytyslevyn toimintaa erilaisten kytkentähäviöiden jäähdyttämisessä. Todettiin mittauksin ja laskelmin, että jäähdytyslevyllä kyetään jäähdyttämään 112 W suuruinen teho, jotta transistorit pysyvät valmistajan ilmoittaman suurimman liitoslämpötilan (150 celsiusastetta) alapuolella.
 
GaN-transistors are a new kind of power transistors, which can be used for example on power supplies. GaN-transistors are tinier compared to traditional power transistors and their switching frequency can be over 1 MHz. There are only a few surveys done about the GaN-transistors at this moment, so there was a need for a power supply prototype to research GaN-transistors.
This bachelor's thesis explains about realizing a PCB and a heatsink for this power supply. The main issues were reducing capacitive and inductive coupling and inventing a way to cool switching losses down.
The heatsink was tested by measurements and it was proven that the heatsink can cool down the switching losses below 112 watts to keep the GaN-transistors below their highest operating temperature 150 degrees celsius.
 
Kokoelmat
  • Kandidaatin tutkintojen opinnäytetyöt [5126]
LUT-yliopisto
PL 20
53851 Lappeenranta
Ota yhteyttä | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste
 

 

Tämä kokoelma

JulkaisuajatTekijätNimekkeetKoulutusohjelmaAvainsanatSyöttöajatYhteisöt ja kokoelmat

Omat tiedot

Kirjaudu sisäänRekisteröidy
LUT-yliopisto
PL 20
53851 Lappeenranta
Ota yhteyttä | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste