Hyppää sisältöön
    • Suomeksi
    • På svenska
    • In English
  • Suomeksi
  • In English
  • Kirjaudu
Näytä aineisto 
  •   Etusivu
  • LUTPub
  • Tieteelliset julkaisut
  • Näytä aineisto
  •   Etusivu
  • LUTPub
  • Tieteelliset julkaisut
  • Näytä aineisto
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Low-temperature quantum magnetotransport of graphene on SiC (0 0 0 1) in pulsed magnetic fields up to 30 T

Lähderanta, Erkki; Lebedev, A. A.; Shakhov, M. A.; Stamov, V. N.; Lisunov, K. G.; Lebedev, S. P. (2019-12-16)

Katso/Avaa
lähderanta_et_al_low-temperature_post_print.pdf (882.4Kb)
Lataukset: 


Post-print / Final draft

Lähderanta, Erkki
Lebedev, A. A.
Shakhov, M. A.
Stamov, V. N.
Lisunov, K. G.
Lebedev, S. P.
16.12.2019

Journal of Physics: Condensed Matter

32

11

IOP Publishing

School of Engineering Science

Kaikki oikeudet pidätetään.
© 2019 IOP Publishing
https://doi.org/10.1088/1361-648X/ab5bb6
Näytä kaikki kuvailutiedot
Julkaisun pysyvä osoite on
https://urn.fi/URN:NBN:fi-fe202001031136

Tiivistelmä

Resistivity, ρ(T), and magnetoresistance (MR) are investigated in graphene grown on SiC (0 0 0 1), at temperatures between T ~ 4–85 K in pulsed magnetic fields of B up to 30 T. According to the Raman spectroscopy and Kelvin-probe microscopy data, the material is a single-layer graphene containing ~20% double-layer islands with a submicron scale and relatively high amount of intrinsic defects. The dependence of ρ(T) exhibits a minimum at temperature T m ~ 30 K. The low-field Hall data have yielded a high electron concentration, n R  ≈  1.4  ×  1013 cm−2 connected to intrinsic defects, and a mobility value of µ H ~ 300 cm2 (Vs)−1 weakly depending on T. Analysis of the Shubnikov–de Haas oscillations of MR, observed between B ~ 10–30 T, permitted to establish existence of the Berry phase β  ≈  0.55 and the cyclotron mass, m c  ≈  0.07 (in units of the free electron mass) close to expected values for the single-layer graphene, respectively. MR at 4.2 K is negative up to B ~ 9 T, exhibiting a minimum near 3 T. Analysis of MR within the whole range of B  =  0–10 T below the onset of the SdH effect has revealed three contributions, connected to (i) the classical MR effect, (ii) the weak localization, and (iii) the electron–electron interaction. Analysis of the ρ(T) dependence has confirmed the presence of the contributions (ii) and (iii), revealing a high importance of the electron–electron scattering. As a result, characteristic relaxation times were obtained; an important role of the spin–orbit interaction in the material has been demonstrated, too.

Lähdeviite

Lähderanta E., Lebedev A. A., Shakhov M. A., Stamov V. N., Lisunov K. G., Lebedev S. P. (2020). Low-temperature quantum magnetotransport of graphene on SiC (0 0 0 1) in pulsed magnetic fields up to 30 T. Journal of Physics: Condensed Matter, vol. 32, 11. DOI: 10.1088/1361-648X/ab5bb6

Kokoelmat
  • Tieteelliset julkaisut [1560]
LUT-yliopisto
PL 20
53851 Lappeenranta
Ota yhteyttä | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste
 

 

Tämä kokoelma

JulkaisuajatTekijätNimekkeetKoulutusohjelmaAvainsanatSyöttöajatYhteisöt ja kokoelmat

Omat tiedot

Kirjaudu sisäänRekisteröidy
LUT-yliopisto
PL 20
53851 Lappeenranta
Ota yhteyttä | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste