Hyppää sisältöön
    • Suomeksi
    • På svenska
    • In English
  • Suomeksi
  • In English
  • Kirjaudu
Näytä aineisto 
  •   Etusivu
  • LUTPub
  • Diplomityöt ja Pro gradu -tutkielmat
  • Näytä aineisto
  •   Etusivu
  • LUTPub
  • Diplomityöt ja Pro gradu -tutkielmat
  • Näytä aineisto
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Enhancing the stability of halide perovskite solar cells by dopant engineering of the hole-transporting material

Degterev, Aleksandr (2020)

Katso/Avaa
Master Thesis (1.985Mb)
Lataukset: 


Diplomityö

Degterev, Aleksandr
2020

School of Engineering Science, Laskennallinen tekniikka

Kaikki oikeudet pidätetään.
Näytä kaikki kuvailutiedot
Julkaisun pysyvä osoite on
https://urn.fi/URN:NBN:fi-fe2020062445575

Tiivistelmä

The presence of the conventional hygroscopic dopants in the hole-transporting material (HTM) of perovskite solar cells (PSCs) is a major culprit of the mediocre stability of the devices. In this work, an alternative dopant called F4-TCNQ was employed in the most widely used HTM in PSCs, i.e. Spiro-OMeTAD. The impact on the efficiency and stability of PSCs was studied when F4-TCNQ replace the conventional dopants of Spiro-OMeTAD. This is the first time that F4-TCNQ is adopted in a mesoscopic n-i-p PSC structure. After tuning the concentration of F4-TCNQ with respect to Spiro-OMeTAD (in the range of 1-6 mol%), it was concluded that 2 mol% of F4-TCNQ is the optimum concentration that can lead to the highest power conversion efficiency of 14.3% and the most stable devices. The new dopant-based devices have promisingly shown also enhanced stability compared to that of conventional dopants-based cells after 112 days of storage in identical conditions. This work provides significant hints to address one of the biggest challenges of PSCs technology.
Kokoelmat
  • Diplomityöt ja Pro gradu -tutkielmat [12411]
LUT-yliopisto
PL 20
53851 Lappeenranta
Ota yhteyttä | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste
 

 

Tämä kokoelma

JulkaisuajatTekijätNimekkeetKoulutusohjelmaAvainsanatSyöttöajatYhteisöt ja kokoelmat

Omat tiedot

Kirjaudu sisäänRekisteröidy
LUT-yliopisto
PL 20
53851 Lappeenranta
Ota yhteyttä | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste