Hyppää sisältöön
    • Suomeksi
    • På svenska
    • In English
  • Suomeksi
  • In English
  • Kirjaudu
Näytä aineisto 
  •   Etusivu
  • LUTPub
  • Tieteelliset julkaisut
  • Näytä aineisto
  •   Etusivu
  • LUTPub
  • Tieteelliset julkaisut
  • Näytä aineisto
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Anomalous Hall effect in Ni47.3Mn30.6Ga22.1/MgO(001) thin films

Lähderanta, Erkki; Blinov, M.I.; Chernenko, V.; Prudnikov, V.N.; Aseguinolaza, I.R.; Barandiaran, J.M.; Granovsky, A.B. (2020-08-17)

Katso/Avaa
blinov_et_al_anomalous_hall_finaldraft.pdf (249.5Kb)
Lataukset: 


Post-print / Final draft

Lähderanta, Erkki
Blinov, M.I.
Chernenko, V.
Prudnikov, V.N.
Aseguinolaza, I.R.
Barandiaran, J.M.
Granovsky, A.B.
17.08.2020

Physical Review B

102

6

American Physical Society

School of Engineering Science

Kaikki oikeudet pidätetään.
© 2020 American Physical Society
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.102.064413
Näytä kaikki kuvailutiedot
Julkaisun pysyvä osoite on
https://urn.fi/URN:NBN:fi-fe2020090367348

Tiivistelmä

We investigate the temperature dependences of the magnetic properties, electrical resistivity, magnetoresistance, and Hall effect resistivity, ρH(H), in thin films of the Heusler-type Ni47.3Mn30.6Ga22.1 (at.%) magnetic shape memory alloys epitaxially grown onto a MgO(001) substrate. The results reveal martensitic transformation at about 230 K, premartensitic transition around 285 K, and the Curie temperature of austenite around 380 K. We obtained the coefficients of normal Hall effect (NHE), R0, and anomalous Hall effect (AHE), Rs, by fitting the total Hall resistivity curves ρH=R0Bz+4πRsMz in several magnetic field ranges (0.1–1, 0–5, 8–16, and 0–16 kOe), using experimental magnetization data. Both coefficients R0 and Rs strongly depend on the magnetic field. We also fit the Hall effect resistivity with the expression ρH=R0Bz+4πRsMz+ΔρH using the coefficients R0 and Rs obtained from the high-field interval (8–16 kOe), where the last term, ΔρH, was considered to correspond either to the topological Hall effect or to the antiferromagnetic Hall effect. The obtained temperature dependence and magnitude of ΔρH discard the presence of the skyrmions or antiskyrmions. We conclude that unconventional field dependences of the NHE and AHE coefficients are produced by the antiferromagnetic correlations and the influence of the magnetic field on the electronic structure.

Lähdeviite

Blinov M.I., Chernenko V., Prudnikov V.N., Aseguinolaza I.R., Barandiaran J.M., Lähderanta E., Granovsky A.B. (2020). Anomalous Hall effect in Ni47.3Mn30.6Ga22.1/MgO(001) thin films. Physical Review B, vol. 102, issue 6. DOI: 10.1103/PhysRevB.102.064413

Kokoelmat
  • Tieteelliset julkaisut [1140]
LUT-yliopisto
PL 20
53851 Lappeenranta
Ota yhteyttä | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste
 

 

Tämä kokoelma

JulkaisuajatTekijätNimekkeetKoulutusohjelmaAvainsanatSyöttöajatYhteisöt ja kokoelmat

Omat tiedot

Kirjaudu sisäänRekisteröidy
LUT-yliopisto
PL 20
53851 Lappeenranta
Ota yhteyttä | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste