Hyppää sisältöön
    • Suomeksi
    • På svenska
    • In English
  • Suomeksi
  • In English
  • Kirjaudu
Näytä aineisto 
  •   Etusivu
  • LUTPub
  • Diplomityöt ja Pro gradu -tutkielmat
  • Näytä aineisto
  •   Etusivu
  • LUTPub
  • Diplomityöt ja Pro gradu -tutkielmat
  • Näytä aineisto
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Silicon PIN-diodes with gate induced passivation : fabrication and characterisation

Hirvenoja, Tarusisko (2021)

Katso/Avaa
Hirvenoja_Dippa_final.pdf (20.68Mb)
Lataukset: 


Diplomityö

Hirvenoja, Tarusisko
2021

School of Engineering Science, Laskennallinen tekniikka

Kaikki oikeudet pidätetään.
Näytä kaikki kuvailutiedot
Julkaisun pysyvä osoite on
https://urn.fi/URN:NBN:fi-fe2021100449299

Tiivistelmä

Silicon PIN diode has been common and efficient configuration for detector purposes for long time. In order to reduce the dead layer on top of the detector, PIN diodes with induced passivation were fabricated and characterised. The induced junction was created on n-type high resistivity silicon by taking advantage of field effect passivation achieved with charged oxide, Al2O3 in this case. Gates were fabricated on top of the diodes to control the charge on the silicon surface. Two transparent gate materials were tested: graphene and indium tin oxide (ITO). The gated diodes were compared to other types of diodes fabricated on the same wafers. The diodes were characterised with four measurement techniques: current-voltage (IV), capacitance-voltage (CV), transient current technique (TCT) and radiation measurements. In IV measurement it was demonstrated that it is possible to change the state in the diode with gate biasing. The leakage current level was few nA/cm^2 and the detectors showed response to visible light and gamma radiation.
 
Pii PIN diodi on ollut yleinen ja tehokas rakenne ilmaisinsovelluksissa jo pitkän aikaa. Ilmaisimen pinnalla olevan kuolleen kerroksen ohentamiseksi valmistettiin ja karakterisoituun PIN diodeja indusoidulla passivoinnilla. Indusoitu liitos valmistettiin n-tyypin korkean resistiivisyyden piille hyödyntäen varautuneen oksidin, tässä tapauksessa Al2O3:n, aiheuttamaa kenttäpassivointia. Diodien päälle valmistettiin hilat, joilla oksidin varausta voidaan säädellä. Kahta läpinäkyvää hilamateriaalia testattiin: grafeenia ja indiumtinaoksidia (ITO). Hilallisia diodeja verrattiin muihin diodityyppeihin samoilla kiekoilla. Diodeja karakterisoitiin neljällä eri mittaustekniikalla: virta-jännite (IV), kapasitanssi-jännite (CV), muutostilan virtaa mittaavalla menetelmällä (TCT) ja säteilymittauksilla. IV mittauksilla osoitettiin, että diodin tilaa on mahdollista muuttaa syöttämällä jännitettä hilaan. Vuotovirran taso oli muutamia nA/cm^2 ja ilmaisimet osoittivat vastetta näkyvälle valolle ja gammasäteilylle.
 
Kokoelmat
  • Diplomityöt ja Pro gradu -tutkielmat [12478]
LUT-yliopisto
PL 20
53851 Lappeenranta
Ota yhteyttä | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste
 

 

Tämä kokoelma

JulkaisuajatTekijätNimekkeetKoulutusohjelmaAvainsanatSyöttöajatYhteisöt ja kokoelmat

Omat tiedot

Kirjaudu sisäänRekisteröidy
LUT-yliopisto
PL 20
53851 Lappeenranta
Ota yhteyttä | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste