Hyppää sisältöön
    • Suomeksi
    • På svenska
    • In English
  • Suomeksi
  • In English
  • Kirjaudu
Näytä aineisto 
  •   Etusivu
  • LUTPub
  • Kandidaatin tutkintojen opinnäytetyöt
  • Näytä aineisto
  •   Etusivu
  • LUTPub
  • Kandidaatin tutkintojen opinnäytetyöt
  • Näytä aineisto
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Piikarbidi- ja galliumnitridipuolijohdetehokomponenttien tilannekartoitus

Kainulainen, Kati (2010)

Katso/Avaa
nbnfi-fe201011253032.pdf (474.9Kb)
Lataukset: 


Kandidaatintyö

Kainulainen, Kati
2010

Näytä kaikki kuvailutiedot
Julkaisun pysyvä osoite on
https://urn.fi/URN:NBN:fi-fe201011253032

Tiivistelmä

Kandidaatintyön tavoitteena on kartoittaa piikarbidista ja galliumnitridistä valmistettavien tehoelektroniikan puolijohdekomponenttien kehitystilannetta ja saatavuutta. Toisin sanoen työssä selvitetään kyseisistä materiaaleista valmistettavien komponenttien ominaisuuksia ja valmistajia. Kootut komponenttien arvot on esitetty taulukkomuodossa työn liitteinä.
Kokoelmat
  • Kandidaatin tutkintojen opinnäytetyöt [6218]
LUT-yliopisto
PL 20
53851 Lappeenranta
Ota yhteyttä | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste
 

 

Tämä kokoelma

JulkaisuajatTekijätNimekkeetKoulutusohjelmaAvainsanatSyöttöajatYhteisöt ja kokoelmat

Omat tiedot

Kirjaudu sisäänRekisteröidy
LUT-yliopisto
PL 20
53851 Lappeenranta
Ota yhteyttä | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste