IGB-transistorien rinnankytkentä

Abstract

Tässä kandidaatintyössä tutkitaan IGB-transistorien rinnankytkentää ja siinä usein esiintyvää virran epäsymmetristä jakaantumista. Työssä esitellään yleisempien IGB-transistorien rakenteet ja tarkastellaan niiden tärkeimpiä ominaisuuksia. IGBT:n parametrien sekä ulkoisen piirin vaikutusta virran jakaantumiseen selvitetään. Vaikuttavien tekijöiden pohjalta pyritään esittämään tarvittavat toimenpiteet sekä mittaustavat, joilla virran jakaantumista voidaan tasoittaa ja saada toteutettua luotettava IGB-transistorien rinnankytkentä.

In this thesis the behaviour of the parallel connection of IGBTs is studied. The most general IGB-transistor structures are presented with their main features. The effect of the IGBT parameters and outer circuitry to current sharing are discussed. In the end, the paper gives necessary steps and screening measurement methods for reliable parallel connection.