Hae LUTPubista
Aineistot 1-1 / 1
GaN-transistorien kanavaresistanssi-ilmiöiden mittaus
(2018)
Galliumnitriditransistoriin (GaN) kohdistuva jänniterasitus aiheuttaa transistorin kanavaresistanssin kasvamisen, jota kutsutaan current collapse -ilmiöksi. Tätä ilmiötä tutkittiin aiheuttamalla GaN-transistoriin 400 voltin ...